maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR
Référence fabricant | EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR |
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Numéro de pièce future | FT-EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Taille mémoire | 1Gb (32M x 32) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 134-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 134-VFBGA (10x11.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR-FT |
W25Q32BVTBJG TR
Winbond Electronics
W25Q32BVTBJP
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W25Q32BVTBJP TR
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W25Q32FVTBIG
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W25Q32FVTBJQ
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W25Q32FVTBJQ TR
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W25Q64CVTBIG
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W25Q64CVTBIG TR
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W25Q64CVTBIP
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XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel