maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M58BW16FB4ZA3F TR
Référence fabricant | M58BW16FB4ZA3F TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-M58BW16FB4ZA3F TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M58BW16FB4ZA3F TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 16Mb (512K x 32) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 45ns |
Temps d'accès | 45ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 80-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 80-LBGA (10x12) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M58BW16FB4ZA3F TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M58BW16FB4ZA3F TR-FT |
M29W640GSL70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT60NA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GT60ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GT70N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT70NA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT70ZS6E
Micron Technology Inc.
M29W640GT70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT7AN6E
Micron Technology Inc.
M29W640GT7AN6F TR
Micron Technology Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel