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Référence fabricant | M29W640GT7AN6E |
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Numéro de pièce future | FT-M29W640GT7AN6E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M29W640GT7AN6E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W640GT7AN6E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M29W640GT7AN6E-FT |
M29W128GL70N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZA3E
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZA6DE
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZS3E
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZS3F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AN6E
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AN6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AZA6E
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel