maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M29W128GL70ZS3E
Référence fabricant | M29W128GL70ZS3E |
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Numéro de pièce future | FT-M29W128GL70ZS3E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M29W128GL70ZS3E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 64-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 64-FBGA (11x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W128GL70ZS3E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M29W128GL70ZS3E-FT |
M29F160FB5KN3E2 TR
Micron Technology Inc.
M29F160FT55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F160FT55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F160FT5AN6E2
Micron Technology Inc.
M29F200BB70M6E
Micron Technology Inc.
M29F200BT70M6E
Micron Technology Inc.
M29F200FB55M3E2
Micron Technology Inc.
M29F200FB55M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F200FB55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F200FB55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel