maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M29F200FB55N3E2
Référence fabricant | M29F200FB55N3E2 |
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Numéro de pièce future | FT-M29F200FB55N3E2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M29F200FB55N3E2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 2Mb (256K x 8, 128K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29F200FB55N3E2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M29F200FB55N3E2-FT |
M27C4001-70C6
STMicroelectronics
M27C4001-90C1
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M27C4001-90C6
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M27C4002-10F1
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M27C4002-10F6
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M27C4002-12F1
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M27C4002-45XF1
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M27C4002-80XF1
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M27C512-10C6
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A40MX02-VQ80M
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LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
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XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
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Intel