maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M29W640GT70ZS6E
Référence fabricant | M29W640GT70ZS6E |
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Numéro de pièce future | FT-M29W640GT70ZS6E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M29W640GT70ZS6E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 64-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 64-FBGA (11x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W640GT70ZS6E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M29W640GT70ZS6E-FT |
M29W128GL60ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W128GL70N3E
Micron Technology Inc.
M29W128GL70N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZA3E
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZA6DE
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZS3E
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZS3F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AN6E
Micron Technology Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
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EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
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XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
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EP1S25F1020I6N
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