maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M58BW016FB7T3T TR
Référence fabricant | M58BW016FB7T3T TR |
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Numéro de pièce future | FT-M58BW016FB7T3T TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M58BW016FB7T3T TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 16Mb (512K x 32) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 80-BQFP |
Package d'appareils du fournisseur | 80-PQFP (19.9x13.9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M58BW016FB7T3T TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M58BW016FB7T3T TR-FT |
M29W640GSH70ZF6E
Micron Technology Inc.
M29W640GSL70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT60NA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GT60ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GT70N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT70NA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT70ZS6E
Micron Technology Inc.
M29W640GT70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT7AN6E
Micron Technology Inc.
XC2V3000-5FGG676I
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP3SL70F484I3N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
5SGXMB9R3H43C3N
Intel
XC5VSX240T-2FF1738CES
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation