maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M48Z512BV-85PM1
Référence fabricant | M48Z512BV-85PM1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-M48Z512BV-85PM1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M48Z512BV-85PM1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 85ns |
Temps d'accès | 85ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 32-PMDIP Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M48Z512BV-85PM1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M48Z512BV-85PM1-FT |
TC58BVG1S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG2S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG3S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG2S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG2S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
XCS20-3TQ144I
Xilinx Inc.
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
LAE5UM-45F-7BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
XC4010E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-10FFG668C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EPF10K50VRI240-3
Intel