maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M48Z512BV-85PM1
Référence fabricant | M48Z512BV-85PM1 |
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Numéro de pièce future | FT-M48Z512BV-85PM1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M48Z512BV-85PM1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 85ns |
Temps d'accès | 85ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 32-PMDIP Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M48Z512BV-85PM1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M48Z512BV-85PM1-FT |
TC58BVG1S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG2S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG3S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG2S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG2S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel