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Référence fabricant | TH58BVG3S0HTAI0 |
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Numéro de pièce future | FT-TH58BVG3S0HTAI0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Benand™ |
TH58BVG3S0HTAI0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Taille mémoire | 8Gb (1G x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 25ns |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP I |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TH58BVG3S0HTAI0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TH58BVG3S0HTAI0-FT |
W971GG6KB25I
Winbond Electronics
W971GG6KB25I TR
Winbond Electronics
W971GG6SB-18 TR
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W971GG6SB-25 TR
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W971GG6SB25I TR
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W9725G6IB-25
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W9725G6JB25I
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W9725G6KB-18
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W9725G6KB-18 TR
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W9725G6KB25I
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XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
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EPF10K100EBC356-2
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EPF10K100EQC240-1N
Intel