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Référence fabricant | M48Z12-150PC1 |
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Numéro de pièce future | FT-M48Z12-150PC1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M48Z12-150PC1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 16Kb (2K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 150ns |
Temps d'accès | 150ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 24-PCDIP, CAPHAT® |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M48Z12-150PC1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M48Z12-150PC1-FT |
TC58NVG1S3ETA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3ETAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0FTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG3S0FTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG2S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0HTA20
Toshiba Memory America, Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel