maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M29F400BT55N6E
Référence fabricant | M29F400BT55N6E |
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Numéro de pièce future | FT-M29F400BT55N6E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M29F400BT55N6E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8, 256K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29F400BT55N6E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M29F400BT55N6E-FT |
MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G01AAAEDH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAH4:E
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAHC:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAHC:E TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel