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Référence fabricant | MT29F2G08ABBEAH4-IT:E |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F2G08ABBEAH4-IT:E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-VFBGA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F2G08ABBEAH4-IT:E-FT |
MT41J128M16HA-15E AIT:D
Micron Technology Inc.
MT41J128M16HA-15E IT:D
Micron Technology Inc.
MT41J128M16HA-15E:D
Micron Technology Inc.
MT41J128M16HA-15E:D TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M16HA-187E:D
Micron Technology Inc.
MT41J128M16JT-125:K
Micron Technology Inc.
MT41J128M16JT-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-15E:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-093 J:E
Micron Technology Inc.
MT41J256M16LY-091G:N
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel