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Référence fabricant | MT29F2G08ABBEAHC:E TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F2G08ABBEAHC:E TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F2G08ABBEAHC:E TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-VFBGA (10.5x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABBEAHC:E TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F2G08ABBEAHC:E TR-FT |
MT41J128M16JT-125:K
Micron Technology Inc.
MT41J128M16JT-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-15E:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-093 J:E
Micron Technology Inc.
MT41J256M16LY-091G:N
Micron Technology Inc.
MT41J256M16RE-15E IT:D
Micron Technology Inc.
MT41J256M8HX-15E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M8HX-15E:D TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16JT-107:G
Micron Technology Inc.
MT41J64M16JT-125:G
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel