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Référence fabricant | M24C64-RMN6TP |
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Numéro de pièce future | FT-M24C64-RMN6TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M24C64-RMN6TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | 1MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | 450ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24C64-RMN6TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M24C64-RMN6TP-FT |
W97AH2KBVX2E
Winbond Electronics
W97AH6KBVX2E
Winbond Electronics
W97AH6KBVX2E TR
Winbond Electronics
W97AH6KBVX2I TR
Winbond Electronics
W97BH2KBVX2E
Winbond Electronics
W97BH2KBVX2I
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W97BH6KBVX2E
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W97BH6KBVX2I
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THGBMHG6C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMNG5D1LBAIT
Toshiba Memory America, Inc.
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EP3SE50F484C2
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EP4CE115F23I8L
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LFXP3E-4Q208I
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LCMXO2-4000HC-6FG484I
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LCMXO3L-640E-6MG121I
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EP3SE110F780C2N
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