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Référence fabricant | W97BH2KBVX2E |
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Numéro de pièce future | FT-W97BH2KBVX2E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W97BH2KBVX2E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Taille mémoire | 2Gb (64M x 32) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 134-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 134-VFBGA (10x11.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W97BH2KBVX2E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W97BH2KBVX2E-FT |
W25M02GVTCIG TR
Winbond Electronics
W25M02GVTCIT TR
Winbond Electronics
W25M512JVCIQ
Winbond Electronics
W25M512JVCIQ TR
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W25Q128JVCIM
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W25Q128JVCIM TR
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W25Q128JVCIQ
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W25Q128JVCIQ TR
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W25Q256JVCIM
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W25Q256JVCIM TR
Winbond Electronics
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation