maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / M24128-BWMN6TP
Référence fabricant | M24128-BWMN6TP |
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Numéro de pièce future | FT-M24128-BWMN6TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
M24128-BWMN6TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 128Kb (16K x 8) |
Fréquence d'horloge | 1MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | 450ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24128-BWMN6TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | M24128-BWMN6TP-FT |
W97BH2KBVX2E
Winbond Electronics
W97BH2KBVX2I
Winbond Electronics
W97BH6KBVX2E
Winbond Electronics
W97BH6KBVX2I
Winbond Electronics
THGBMHG6C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMNG5D1LBAIT
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG8C2LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG6C1LBAWL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C2LBAWR
Toshiba Memory America, Inc.