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Littelfuse Inc. LSIC1MO120E0160

Numéro de pièce MFG
LSIC1MO120E0160
quantité disponible
96940 Pièces
Prix de référence
USD 8.8
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Date d'expédition
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fabricant
Littelfuse Inc.
Brève description
- SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
LSIC1MO120E0160.pdf
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LSIC1MO120E0160 Caractéristiques

Référence fabricant LSIC1MO120E0160
Numéro de pièce future FT-LSIC1MO120E0160
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
LSIC1MO120E0160 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 20V
Vgs (Max) +22V, -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 800V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-247-3
Paquet / caisse TO-247-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
LSIC1MO120E0160 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange LSIC1MO120E0160-FT

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