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Littelfuse Inc. LSIC1MO120E0160

Name: LSIC1MO120E0160
Brand: Littelfuse Inc.
SKU: LSIC1MO120E0160
Price: 8.8 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (674 reviews)

Numéro de pièce MFG: LSIC1MO120E0160

quantité disponible: 96940 Pièces

Prix de référence: USD 8.8

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Littelfuse Inc.

Brève description: - SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: LSIC1MO120E0160.pdf

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LSIC1MO120E0160 Caractéristiques

Référence fabricant	LSIC1MO120E0160
Numéro de pièce future	FT-LSIC1MO120E0160
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
LSIC1MO120E0160 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss)	1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	22A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 20V
Vgs (Max)	+22V, -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	870pF @ 800V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247-3
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
LSIC1MO120E0160 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	LSIC1MO120E0160-FT

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