maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DN2470K4-G
Référence fabricant | DN2470K4-G |
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Numéro de pièce future | FT-DN2470K4-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DN2470K4-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 700V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 170mA (Tj) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 Ohm @ 100mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 25V |
Caractéristique FET | Depletion Mode |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DN2470K4-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DN2470K4-G-FT |
PH6325L,115
Nexperia USA Inc.
PH6530AL,115
NXP USA Inc.
PH7030AL,115
Nexperia USA Inc.
PH7030L,115
NXP USA Inc.
PH8030L,115
NXP USA Inc.
PH8230E,115
Nexperia USA Inc.
PH9025L,115
NXP USA Inc.
PH9030AL,115
NXP USA Inc.
PH9030L,115
NXP USA Inc.
PH955L,115
Nexperia USA Inc.
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
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A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
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