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Nexperia USA Inc. PH8230E,115

Numéro de pièce MFG
PH8230E,115
quantité disponible
64690 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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PH8230E,115 Caractéristiques

Référence fabricant PH8230E,115
Numéro de pièce future FT-PH8230E,115
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchMOS™
PH8230E,115 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 67A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 62.5W (Tc)
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur LFPAK56, Power-SO8
Paquet / caisse SC-100, SOT-669
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PH8230E,115 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PH8230E,115-FT

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