maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / 2N6798
Référence fabricant | 2N6798 |
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Numéro de pièce future | FT-2N6798 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N6798 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.29nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-39 |
Paquet / caisse | TO-205AF Metal Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6798 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N6798-FT |
PH5030AL,115
Nexperia USA Inc.
PH5330E,115
NXP USA Inc.
PH5525L,115
NXP USA Inc.
PH6030AL,115
Nexperia USA Inc.
PH6030L,115
NXP USA Inc.
PH6325L,115
Nexperia USA Inc.
PH6530AL,115
NXP USA Inc.
PH7030AL,115
Nexperia USA Inc.
PH7030L,115
NXP USA Inc.
PH8030L,115
NXP USA Inc.
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel