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NXP USA Inc. PH5330E,115

Name: PH5330E,115
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PH5330E,115
Availability: InStock
Rating: 4.6 (49 reviews)

Numéro de pièce MFG: PH5330E,115

quantité disponible: 13550 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: NXP USA Inc.

Brève description: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: PH5330E,115.pdf

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PH5330E,115 Caractéristiques

Référence fabricant	PH5330E,115
Numéro de pièce future	FT-PH5330E,115
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchMOS™
PH5330E,115 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2010pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	62.5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	LFPAK56, Power-SO8
Paquet / caisse	SC-100, SOT-669
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PH5330E,115 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	PH5330E,115-FT

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