maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / LSIC1MO120E0080
Référence fabricant | LSIC1MO120E0080 |
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Numéro de pièce future | FT-LSIC1MO120E0080 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
LSIC1MO120E0080 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 39A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 20V |
Vgs (Max) | +22V, -6V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1825pF @ 800V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 179W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-3 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LSIC1MO120E0080 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LSIC1MO120E0080-FT |
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