maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / LP0701LG-G
Référence fabricant | LP0701LG-G |
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Numéro de pièce future | FT-LP0701LG-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
LP0701LG-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 16.5V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 700mA (Tj) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 300mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LP0701LG-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LP0701LG-G-FT |
PSMN4R0-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN4R1-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN4R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN5R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN5R2-60YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN5R6-60YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN5R9-30YL,115
NXP USA Inc.
PSMN6R0-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN6R0-30YLDX
Nexperia USA Inc.
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel