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Référence fabricant | PSMN6R0-30YL,115 |
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Numéro de pièce future | FT-PSMN6R0-30YL,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN6R0-30YL,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 79A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1425pF @ 12V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 55W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquet / caisse | SC-100, SOT-669 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN6R0-30YL,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN6R0-30YL,115-FT |
BUK9Y59-60E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y72-80E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y7R2-60E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y7R6-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y7R8-80E,115
NXP USA Inc.
BUK9Y8R5-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y98-80E,115
NXP USA Inc.
BUK9Y9R9-80E,115
NXP USA Inc.
PH16030L,115
NXP USA Inc.
PH1730AL,115
Nexperia USA Inc.
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel