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NXP USA Inc. BUK9Y9R9-80E,115

Numéro de pièce MFG
BUK9Y9R9-80E,115
quantité disponible
35570 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
- MOSFET N-CH 80V LFPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
BUK9Y9R9-80E,115.pdf
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BUK9Y9R9-80E,115 Caractéristiques

Référence fabricant BUK9Y9R9-80E,115
Numéro de pièce future FT-BUK9Y9R9-80E,115
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
BUK9Y9R9-80E,115 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C -
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) -
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur LFPAK56, Power-SO8
Paquet / caisse SC-100, SOT-669
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUK9Y9R9-80E,115 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BUK9Y9R9-80E,115-FT

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