maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK7Y19-100EX
Référence fabricant | BUK7Y19-100EX |
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Numéro de pièce future | FT-BUK7Y19-100EX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BUK7Y19-100EX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 169W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquet / caisse | SC-100, SOT-669 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7Y19-100EX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK7Y19-100EX-FT |
FDZ663P
ON Semiconductor
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Nexperia USA Inc.
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