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Nexperia USA Inc. PMZB670UPE,315

Numéro de pièce MFG
PMZB670UPE,315
quantité disponible
40270 Pièces
Prix de référence
USD 0.055616
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Date d'expédition
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fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
- MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
PMZB670UPE,315.pdf
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PMZB670UPE,315 Caractéristiques

Référence fabricant PMZB670UPE,315
Numéro de pièce future FT-PMZB670UPE,315
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
PMZB670UPE,315 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 680mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.14nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 87pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DFN1006B-3
Paquet / caisse 3-XFDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMZB670UPE,315 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PMZB670UPE,315-FT

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