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Microsemi Corporation JANTXV2N6849U

Name: JANTXV2N6849U
Brand: Microsemi Corporation
SKU: JANTXV2N6849U
Availability: InStock
Rating: 4.8 (442 reviews)

Numéro de pièce MFG: JANTXV2N6849U

quantité disponible: 70250 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: Military, MIL-PRF-19500/564 MOSFET P-CH 100V 6.5A

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: JANTXV2N6849U.pdf

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JANTXV2N6849U Caractéristiques

Référence fabricant	JANTXV2N6849U
Numéro de pièce future	FT-JANTXV2N6849U
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Military, MIL-PRF-19500/564
JANTXV2N6849U Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	34.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	800mW (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	18-ULCC (9.14x7.49)
Paquet / caisse	18-CLCC
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
JANTXV2N6849U Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	JANTXV2N6849U-FT

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