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Microsemi Corporation JAN2N6849

Numéro de pièce MFG
JAN2N6849
quantité disponible
97790 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
Military, MIL-PRF-19500/564 MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
JAN2N6849.pdf
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JAN2N6849 Caractéristiques

Référence fabricant JAN2N6849
Numéro de pièce future FT-JAN2N6849
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Military, MIL-PRF-19500/564
JAN2N6849 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 800mW (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-39
Paquet / caisse TO-205AF Metal Can
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
JAN2N6849 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange JAN2N6849-FT

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