maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JANTX1N6113
Référence fabricant | JANTX1N6113 |
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Numéro de pièce future | FT-JANTX1N6113 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JANTX1N6113 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 15.2V |
Tension - Panne (Min) | 18.05V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 29.09V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 17.1A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | B, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX1N6113 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTX1N6113-FT |
JAN1N6471US
Microsemi Corporation
JAN1N6472US
Microsemi Corporation
JAN1N6473US
Microsemi Corporation
JAN1N6475US
Microsemi Corporation
JAN1N6476US
Microsemi Corporation
JAN1N6508
Microsemi Corporation
JAN1N6509
Microsemi Corporation
JANS1N6116US
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JANS1N6125A
Microsemi Corporation
JANS1N6142AUS
Microsemi Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
EPF8282AVTC100-3
Intel
EP3C55U484C6N
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
10AX032E2F27I2LG
Intel
5SGSMD6N1F45I2N
Intel
AX1000-FG676I
Microsemi Corporation
A42MX24-3TQG176
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation