maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6471US
Référence fabricant | JAN1N6471US |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6471US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/552 |
JAN1N6471US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 12V |
Tension - Panne (Min) | 13.6V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 22.6V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 374A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, G |
Package d'appareils du fournisseur | G-MELF (D-5C) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6471US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6471US-FT |
JAN1N6146US
Microsemi Corporation
JAN1N6147
Microsemi Corporation
JAN1N6147AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6147US
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JAN1N6148
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JAN1N6148AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6148US
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JAN1N6149
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JAN1N6149AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6149US
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-2
Intel
XCV50E-8FG256C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6N
Intel
10AX048H3F34E2SG
Intel
EP3SL110F1152I3
Intel
XC6VCX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC20E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation