maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JANTX1N6109
Référence fabricant | JANTX1N6109 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JANTX1N6109 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JANTX1N6109 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 9.9V |
Tension - Panne (Min) | 11.73V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 19.11V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 26.13A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | B, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX1N6109 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTX1N6109-FT |
JAN1N6467US
Microsemi Corporation
JAN1N6468
Microsemi Corporation
JAN1N6468US
Microsemi Corporation
JAN1N6469US
Microsemi Corporation
JAN1N6470US
Microsemi Corporation
JAN1N6471US
Microsemi Corporation
JAN1N6472US
Microsemi Corporation
JAN1N6473US
Microsemi Corporation
JAN1N6475US
Microsemi Corporation
JAN1N6476US
Microsemi Corporation
XCKU035-3FFVA1156E
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
10CL016ZF484I8G
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
10M25SAE144I7G
Intel
XC2VP7-5FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160M
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19C6N
Intel