maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / JAN2N7236U
Référence fabricant | JAN2N7236U |
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Numéro de pièce future | FT-JAN2N7236U |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/595 |
JAN2N7236U Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 18A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 4W (Ta), 125W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-267AB |
Paquet / caisse | TO-267AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N7236U Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN2N7236U-FT |
IXTD1R4N60P 11
IXYS
IXTD2N60P-1J
IXYS
IXTD3N50P-2J
IXYS
IXTD3N60P-2J
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IXTD4N80P-3J
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IXTD5N100A
IXYS
IXTH21N50Q
IXYS
IXTI10N60P
IXYS
IXTI12N50P
IXYS
IXTM10P60
IXYS
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel