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IXYS IXTD2N60P-1J

Name: IXTD2N60P-1J
Brand: IXYS
SKU: IXTD2N60P-1J
Availability: InStock
Rating: 4.6 (347 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXTD2N60P-1J

quantité disponible: 57610 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: PolarHV™ MOSFET N-CH 600

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXTD2N60P-1J.pdf

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IXTD2N60P-1J Caractéristiques

Référence fabricant	IXTD2N60P-1J
Numéro de pièce future	FT-IXTD2N60P-1J
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	PolarHV™
IXTD2N60P-1J Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Last Time Buy
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.1 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	240pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	56W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	Die
Paquet / caisse	Die
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTD2N60P-1J Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXTD2N60P-1J-FT

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