maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTD1R4N60P 11
Référence fabricant | IXTD1R4N60P 11 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXTD1R4N60P 11 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PolarHV™ |
IXTD1R4N60P 11 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.4A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 Ohm @ 700mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 25µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 50W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Paquet / caisse | Die |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTD1R4N60P 11 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTD1R4N60P 11-FT |
IXFD80N20Q-8XQ
IXYS
IXFF24N100
IXYS
IXFG55N50
IXYS
IXFH14N100Q
IXYS
IXFH1799
IXYS
IXFH1837
IXYS
IXFH32N48
IXYS
IXFH32N48Q
IXYS
IXFH35N30Q
IXYS
IXFH67N10Q
IXYS
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel