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IXYS IXTD1R4N60P 11

Numéro de pièce MFG
IXTD1R4N60P 11
quantité disponible
17880 Pièces
Prix de référence
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
PolarHV™ MOSFET N-CH 600V
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXTD1R4N60P 11.pdf
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IXTD1R4N60P 11 Caractéristiques

Référence fabricant IXTD1R4N60P 11
Numéro de pièce future FT-IXTD1R4N60P 11
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PolarHV™
IXTD1R4N60P 11 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur Die
Paquet / caisse Die
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTD1R4N60P 11 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXTD1R4N60P 11-FT

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