maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N459
Référence fabricant | JAN1N459 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N459 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/193 |
JAN1N459 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 150mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 100mA |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N459 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N459-FT |
IRD3CH11DB6
Infineon Technologies
IRD3CH11DD6
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IRD3CH11DF6
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IRD3CH16DB6
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IRD3CH31DB6
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XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
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XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
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10AX115S2F45I2LG
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EPF10K100ABC356-3
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