maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / IRD3CH11DD6
Référence fabricant | IRD3CH11DD6 |
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Numéro de pièce future | FT-IRD3CH11DD6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
IRD3CH11DD6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | - |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | - |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRD3CH11DD6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRD3CH11DD6-FT |
GP15K-040E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15M-024E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP2D008A065A
Global Power Technologies Group
GP2D008A065C
Global Power Technologies Group
GP2D010A065A
Global Power Technologies Group
GP2D010A065C
Global Power Technologies Group
GP2D010A170B
Global Power Technologies Group
GP2D020A065B
Global Power Technologies Group
GP2D030A065B
Global Power Technologies Group
GP2D060A120B
Global Power Technologies Group
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel