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Référence fabricant | GP2D010A170B |
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Numéro de pièce future | FT-GP2D010A170B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Amp+™ |
GP2D010A170B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1700V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.75V @ 10A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20µA @ 1700V |
Capacité @ Vr, F | 812pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2D010A170B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GP2D010A170B-FT |
GB02SLT06-214
GeneSiC Semiconductor
GB10SLT12-214
GeneSiC Semiconductor
GHR16-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GHR16-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-1-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-1-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-3-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-3-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI250-4-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI810-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
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LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel