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Référence fabricant | IRD3CH11DB6 |
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Numéro de pièce future | FT-IRD3CH11DB6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRD3CH11DB6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.7V @ 25A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 190ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 700nA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRD3CH11DB6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRD3CH11DB6-FT |
GP15GL-5014E3/72
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15K-040E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15M-024E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP2D008A065A
Global Power Technologies Group
GP2D008A065C
Global Power Technologies Group
GP2D010A065A
Global Power Technologies Group
GP2D010A065C
Global Power Technologies Group
GP2D010A170B
Global Power Technologies Group
GP2D020A065B
Global Power Technologies Group
GP2D030A065B
Global Power Technologies Group
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel