maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / IXZH10N50L2B
Référence fabricant | IXZH10N50L2B |
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Numéro de pièce future | FT-IXZH10N50L2B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Z-MOS™ |
IXZH10N50L2B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | N-Channel |
La fréquence | 70MHz |
Gain | 17dB |
Tension - Test | 100V |
Note actuelle | 10A |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | - |
Puissance - sortie | 200W |
Tension - nominale | 500V |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 (IXFH) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXZH10N50L2B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXZH10N50L2B-FT |
ON5234,118
NXP USA Inc.
ON5258,215
Nexperia USA Inc.
NE3511S02-A
CEL
NE3511S02-T1C-A
CEL
NE3512S02-A
CEL
NE3512S02-T1C-A
CEL
NE3514S02-A
CEL
NE3514S02-T1C-A
CEL
NE3515S02-A
CEL
NE3515S02-T1C-A
CEL
XC6SLX4-L1TQG144C
Xilinx Inc.
XC4044XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
AGLN030V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
EPF8282ATI100-3NGZ
Intel
EP2C15AF484C8N
Intel
EP3C16U256C7
Intel
EP3SL340F1517I3N
Intel
XC7A25T-L2CPG238E
Xilinx Inc.
A3P060-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1S80B956C7
Intel