maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / NE3515S02-T1C-A
Référence fabricant | NE3515S02-T1C-A |
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Numéro de pièce future | FT-NE3515S02-T1C-A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NE3515S02-T1C-A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | HFET |
La fréquence | 12GHz |
Gain | 12.5dB |
Tension - Test | 2V |
Note actuelle | 88mA |
Figure de bruit | 0.3dB |
Courant - Test | 10mA |
Puissance - sortie | 14dBm |
Tension - nominale | 4V |
Paquet / caisse | 4-SMD, Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | S02 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE3515S02-T1C-A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NE3515S02-T1C-A-FT |
SD2931
STMicroelectronics
SD2932
STMicroelectronics
SD2932B
STMicroelectronics
SD2942
STMicroelectronics
SD2903
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SD2933W
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SD2943W
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SD4933MR
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SD3933
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SD4933
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XC6VLX130T-2FFG484I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F484C8N
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
M2GL090-1FGG676
Microsemi Corporation
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
5CEBA5U19C8N
Intel
EP3C120F780C7
Intel