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CEL NE3512S02-T1C-A

Numéro de pièce MFG
NE3512S02-T1C-A
quantité disponible
41190 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
CEL
Brève description
- HJ-FET NCH 13.5DB S02
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - RF
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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NE3512S02-T1C-A Caractéristiques

Référence fabricant NE3512S02-T1C-A
Numéro de pièce future FT-NE3512S02-T1C-A
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NE3512S02-T1C-A Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de transistor HFET
La fréquence 12GHz
Gain 13.5dB
Tension - Test 2V
Note actuelle 70mA
Figure de bruit 0.35dB
Courant - Test 10mA
Puissance - sortie -
Tension - nominale 4V
Paquet / caisse 4-SMD, Flat Leads
Package d'appareils du fournisseur S02
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NE3512S02-T1C-A Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NE3512S02-T1C-A-FT

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