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IXYS IXTY4N65X2

Numéro de pièce MFG
IXTY4N65X2
quantité disponible
64860 Pièces
Prix de référence
USD 1.2
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
- MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXTY4N65X2.pdf
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IXTY4N65X2 Caractéristiques

Référence fabricant IXTY4N65X2
Numéro de pièce future FT-IXTY4N65X2
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IXTY4N65X2 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-252
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTY4N65X2 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXTY4N65X2-FT

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