maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDD86381-F085
Référence fabricant | FDD86381-F085 |
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Numéro de pièce future | FT-FDD86381-F085 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
FDD86381-F085 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 25A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 866pF @ 40V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 48.4W (Tj) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-PAK (TO-252AA) |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD86381-F085 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDD86381-F085-FT |
IRLR7833
Infineon Technologies
FDD2572-F085
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FQD3N60CTM-WS
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XC3S400-5FTG256C
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LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
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5SGXEA3K1F35I2N
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XC4020E-3HQ208I
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XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
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XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
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