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ON Semiconductor FQD12N20LTM-F085P

Name: FQD12N20LTM-F085P
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQD12N20LTM-F085P
Price: 0.555632 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (531 reviews)

Numéro de pièce MFG: FQD12N20LTM-F085P

quantité disponible: 47990 Pièces

Prix de référence: USD 0.555632

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: QFET® NMOS DPAK 200V 280 MOHM

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FQD12N20LTM-F085P.pdf

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FQD12N20LTM-F085P Caractéristiques

Référence fabricant	FQD12N20LTM-F085P
Numéro de pièce future	FT-FQD12N20LTM-F085P
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	QFET®
FQD12N20LTM-F085P Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1080pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 55W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-252, (D-Pak)
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQD12N20LTM-F085P Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FQD12N20LTM-F085P-FT

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