maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTT110N10P
Référence fabricant | IXTT110N10P |
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Numéro de pièce future | FT-IXTT110N10P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PolarHT™ |
IXTT110N10P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 110A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3550pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 480W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-268 |
Paquet / caisse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTT110N10P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTT110N10P-FT |
IXFT42N50P2
IXYS
IXFT44N50Q3
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A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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