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IXYS IXFT69N30P

Numéro de pièce MFG
IXFT69N30P
quantité disponible
61230 Pièces
Prix de référence
USD 6.445336
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
PolarHT™ HiPerFET™ MOSFET N-CH 300V 69A TO-268
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IXFT69N30P Caractéristiques

Référence fabricant IXFT69N30P
Numéro de pièce future FT-IXFT69N30P
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PolarHT™ HiPerFET™
IXFT69N30P Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 300V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 69A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4960pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-268
Paquet / caisse TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFT69N30P Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXFT69N30P-FT

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