maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFK30N50Q
Référence fabricant | IXFK30N50Q |
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Numéro de pièce future | FT-IXFK30N50Q |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFK30N50Q Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 416W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-264AA (IXFK) |
Paquet / caisse | TO-264-3, TO-264AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK30N50Q Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFK30N50Q-FT |
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IXYS
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Microsemi Corporation
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XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
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