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IXYS IXFB210N20P

Numéro de pièce MFG
IXFB210N20P
quantité disponible
47340 Pièces
Prix de référence
USD 16.08896
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
HiPerFET™, PolarP2™ MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IXFB210N20P Caractéristiques

Référence fabricant IXFB210N20P
Numéro de pièce future FT-IXFB210N20P
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HiPerFET™, PolarP2™
IXFB210N20P Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 210A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 255nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 18600pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1500W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur PLUS264™
Paquet / caisse TO-264-3, TO-264AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFB210N20P Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXFB210N20P-FT

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