maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFT50N85XHV
Référence fabricant | IXFT50N85XHV |
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Numéro de pièce future | FT-IXFT50N85XHV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFT50N85XHV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 850V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 4mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4480pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 890W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-268 |
Paquet / caisse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT50N85XHV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFT50N85XHV-FT |
IXFK24N90Q
IXYS
IXFK25N90
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EP1C6T144C6
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LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
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EP4CE10E22C7N
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XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
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EP4CE55F29C6
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